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中科院STS重點(diǎn)項目—“大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范”啟動(dòng)會(huì )召開(kāi)

發(fā)布時(shí)間:2019-04-04 文章來(lái)源:本站  瀏覽次數:18766

  3月23日,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院承擔的STS重點(diǎn)項目“大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范”啟動(dòng)會(huì )在應用技術(shù)所召開(kāi)。寧波諾丁漢大學(xué)崔平研究員,中科院半導體所陳弘達研究員、云南大學(xué)柳清菊教授、中科院電工研究所王文靜研究員、合肥市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )陶鴻常務(wù)副理事長(cháng)、安徽建筑大學(xué)劉瑾教授、合肥工業(yè)大學(xué)崔鵬教授等七名專(zhuān)家組成員,中科院科技促進(jìn)發(fā)展局付廣義處長(cháng),項目負責人及骨干成員近三十人參加會(huì )議。啟動(dòng)會(huì )由中科院合肥研究院科發(fā)處鄧國慶處長(cháng)主持。

  會(huì )上,中科院科技促進(jìn)發(fā)展局付廣義處長(cháng)首先介紹了STS項目的來(lái)源、背景以及項目實(shí)施的必要性、重要性,指出大功率器件的散熱是集成電路領(lǐng)域的“卡脖子”問(wèn)題之一,希望通過(guò)該項目實(shí)施,提升我國核心器件的自主研發(fā)能力。

  項目負責人田興友研究員匯報了項目的研究背景及目標、研究?jì)热菖c實(shí)施方案、項目預期成果等,并就項目管理、經(jīng)費使用等提出了具體要求。本項目旨在實(shí)現集成電路熱管理材料的規;苽,帶動(dòng)相關(guān)封裝工藝與測試技術(shù)的發(fā)展與變革,服務(wù)于以IGBT為典型的大功率器件封測領(lǐng)域,系統解決大功率器件的散熱瓶頸問(wèn)題。

  專(zhuān)家組在認真聽(tīng)取匯報后,一致認為該項目目標明確,考核指標清晰,任務(wù)設計合理,實(shí)施方案可行,希望課題組在項目實(shí)施過(guò)程中加強各承擔單位間的緊密合作與協(xié)同研究,并加強與下游骨干企業(yè)的合作,以促進(jìn)研發(fā)成果得到真正有效應用。專(zhuān)家組還提出了相關(guān)具體的指導意見(jiàn)和要求。此次會(huì )議明確了項目管理要求,討論修訂了項目組織管理辦法,完善了項目具體實(shí)施方案等,對項目的順利實(shí)施起到了重要的推動(dòng)作用,具有重要意義。

  中科院STS重點(diǎn)項目—“大功率集成電路封測技術(shù)與應用示范”(項目編號:KFJ-STS-ZDTP-069),由中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院作為牽頭單位,中科院半導體研究所,中科院微電子研究所,中科院上海硅酸鹽研究所,中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,中科院光電技術(shù)研究院作為參與單位共同承擔。該項目旨在開(kāi)展先進(jìn)熱管理材料與典型器件封裝技術(shù)的應用示范研究,顯著(zhù)提升電子封裝材料的熱管理效能,形成包括新型聚合物基、陶瓷基等若干新材料體系及其規;苽浼夹g(shù);實(shí)現IGBT和MOSFET兩類(lèi)典型汽車(chē)功率芯片熱點(diǎn)處溫度顯著(zhù)降低,建立貫穿設計制備、器件集成、服役評價(jià)的全鏈條共性服務(wù)平臺,推動(dòng)新型熱管理材料和封裝技術(shù)在集成電路核心器件中的應用和產(chǎn)業(yè)化示范。

(轉自中國科學(xué)院合肥研究院網(wǎng)站)

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