10月30日，臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會(huì )在臺北晶華酒店舉辦第十五屆臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會(huì )年會(huì )。我司代表受邀參加了此次活動(dòng)。
會(huì )上，頒發(fā)了第15屆臺灣信息儲存技術(shù)獎項，今年 “杰出信息儲存獎?wù)隆钡锚務(wù)邽閲⒔煌ù髮W(xué)終身講座教授施敏教授，他與其領(lǐng)導的團隊在51年前發(fā)明了“浮動(dòng)閘極存儲效應(Floating Gate Memory Effect)”，此獎?wù)乱彩桥_灣信息儲存界最高的榮譽(yù)獎。
施敏博士于1967年發(fā)現“浮動(dòng)閘極存儲效應(Floating Gate Memory Effect)”，此一重大的發(fā)現成為包括閃存(Flash Memory)在內所有可程序化“非揮發(fā)性半導體存儲器件”的基礎，這項劃時(shí)代的發(fā)現促成信息儲存的革命性發(fā)展并開(kāi)啟了數字時(shí)代。
活動(dòng)期間，我司代表與施敏教授，以及其他產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、專(zhuān)家學(xué)者進(jìn)行了深入的溝通交流，為兩地未來(lái)在存儲技術(shù)的互動(dòng)合作奠定基礎。
成立已逾15年的臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會(huì )一直致力于加速臺灣信息儲存關(guān)鍵性技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品的規格創(chuàng )新，推動(dòng)上、中、下游之分工與整合，解決共通性之技術(shù)問(wèn)題，建立完整的信息儲存基礎環(huán)境與產(chǎn)業(yè)體系。 |
